飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为智能手机设计人员带来一款在主机在SD卡接口之间实现三种不同电平连接的SD卡多路复用器。FXL3SD206多路复用器可在三种电平和三个部件之间进行多路复用，不但节省宝贵的板卡尺寸，而且还最大限度地减低设计复杂度，可在智能手机应用中替代多芯片解决方案。此SD卡多路复用器采用最佳的24脚UMLP封装，非常适合板卡空间受限的智能手机和其它SD卡应用设计。
飞兆推出SD卡多路复用器FXL3SD206
FXL3SD206 采用功率管理和信号路径专门技术，并结合先进封装，它是体现飞兆半导体包括高效设计、提供先进解决方案和缩短便携产品开发周期之能力的范例。飞兆半导体的其它产品包括：低VIN LDO开关电源|稳压器FAN2564，能提供开关稳压器的效率，而占位面积仅为一个LDO的大小；20VP沟道PowerTrench MOSFET器件FDMA1027PT 和 FDFMA2P853T，具有业界最薄外形和出色的功耗特性；以及能够延长生物传感器模块中电池寿命的FPF202x系列先进负载开关
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为电信、服务器、机顶盒和其它消费应用的设计人员提供支持，让他们采用同步降压稳压器参考设计来开发更高效、紧凑的解决方案。该RD278参考设计备有单电源、高集成度6A的同步降压解决方案 FAN21SV06，可让设计人员以较少的占用空间达到较高的效率水平。RD278参考设计根据输入和输出条件状况而可提供高达95%的效率，并可在8V 至20V的较宽输入电压范围运作。FAN21SV06可配置用于主或从模式，在从模式中，这款稳压器接受外部的同步信号，将输出开关频率与输入信号同步。只需要改变很少的组件，便可以重新配置这款设计的输出电压、开关频率和限流功能以配合应用的需求。
FAN21SV06在紧凑的5mm×6mm MLP封装中集成了一个控制器、驱动器和经优化的功率MOSFET，该器件具有6.5V至24V的较宽工作电压范围，可轻易生成不同的系统级电压轨。 FAN21SV06的一项附加优势是能够分别激活稳压器，可在负载点(POL)应用中实现上电排序。
飞兆半导体提供广泛的参考设计，能够减少线路板空间、简化设计、确保系统可靠性并缩短上市时间。这些随时可投产的设计在推动OEM厂商缩短设计时间，并将应用更快推向市场方面发挥了重要的作用。
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据台湾媒体报道，半导体市场景气回温，台积电、联电、特许（Chartered）等晶圆代工厂今年将投入数亿美元资本支出，投入28奈米高介电金属闸极（high-k/metal gate，HKMG）技术竞赛。而在台积电及联电去年相继宣布32及28奈米HKMG制程完成良率验证后，以IBM为首的通用平台（Common Platform）也宣布明年下旬提供28奈米HKMG制程量产服务。
许多芯片大厂在不景气时期加速了制程微缩速度，包括高通（Qualcomm）、英伟达（NVIDIA）、超微、赛灵思（Xilinx）、阿尔特拉（Altera）等国际大厂，45及40奈米制程新订单已于今年第二季下旬，陆续在台积电、联电、特许等晶圆代工厂投片量产。由于芯片厂通常会在新一世代制程投片量产时，开始与代工厂商合作下一世代的新制程研发，所以晶圆代工厂已经正式进入了32及28奈米技术竞赛。
以IBM为首的通用平台，已经与三星、特许、英飞凌、 Globalfoundries、意法半导体等平台成员共同合作，在去年底开发出32奈米HKMG制程后，昨日再宣佈成功发开出28奈米HKMG技术。 IBM方面表示，3月已开放客户取得相关设计资源，希望明年下旬就可量产，客户可以在不更改32奈米设计的情况下，直接微缩导入28奈米世代。
联电在去年10月底成功产出第一个全功能28奈米制程SRAM（静态随机存取记忆体）芯片后，同时完成了28奈米SRAM工作芯片与HKMG制程实体验证上的成功，联电规划2010年下旬推出32及28奈米HKMG技术。
至于龙头大厂台积电在32及28奈米的进度较快，去年第三季底时已宣布，将28奈米制程定位为全世代（full node）制程，同时提供HKMG及氮氧化硅（SiON）材料等两种选择。台积电现在已经提供客户28奈米晶圆共乘服务（CyberShuttle），供客户开始进行产品试制，正式量产时间约在2010年第一季。
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快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4–0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
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iSuppli公司认为，全球经济衰退已把中国半导体产业置于险境。
最近10年，中国政府一直努力发展国内经济，以获得经济独立性。而发展技术性较强的半导体产业，则被视为中国获得长期国内经济与技术独立性的关键。
中国政府通过向计划在国内扩大制造业务的企业提供优惠政策，来促进国内经济的增长。有一段时间，中国企业纷纷利用利润来扩大生产，并增雇工人。中国政府的计划是，中国企业与工人最终要满足人们对于产品的需求，而且制造业引擎要由国内驱动。
但不幸的是，这个计划遇到了挫折。在内需还没达到可与外需匹敌的程度的时候，全球销售就一蹶不振了。
科技产业，具体而言就是半导体制造业，一度被中国政府视为经济增长的一大支柱，现在已成为财政负担。半导体产业在产能与技术方面的投资，没有实现预期中的财务回报。
图2所示为iSuppli公司对于2001-2013年中国半导体工厂产能的逐年预测，包括晶圆代工与集成设备制造商(IDM)在内。
另外，对于企业会关闭其它地区的产能，纷纷转向成本更低和效率更高的中国制造业的估计过于乐观，这也加重了中国面临的困难。
由于目前全球经济陷入衰退，中国遇到了严峻挑战：如何在半导体产业崩溃之前重组整个产业。
展望未来
2011年中国半导体产业会是什么样子？芯片供应商是否会合并，需求缺乏是否会导致企业停业？
中国半导体制造业发展速度曾傲视全球，而上述问题只是其面临的诸多问题中的一部分。
这些问题的答案在于全球经济形势。在消费者感到能够再度放心地花钱之前，半导体需求将保持低迷。由于中国企业与竞争对手相比，并没有独到的技术，太多同样的产能在追逐同样的市场机会，所以处于劣势。
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2009年迄今，电子供应链中的库存控制一直是经理们最关心的问题。2008年第四季度需求崩溃，导致供应链中的所有节点上的库存暴增，厂商一直在全力削减产成品库存、放慢生产速度并把原材料退回供应商。iSuppli公司相信，尽管想得挺好，但市场还是给了经理们一个关于供需的新教训。
在第四季度财报季，电子供应链宣布营业收入下降达21%左右，但库存金额只是略有减少，约为3%左右。最终结果是库存天数大增，以及更不知道该如何削减库存和管理产能利用率。2009年迄今，企业纷纷调整规模。
经理们大力削减产能利用率，产业平均产能利用率降到了37%左右。企业还开始裁员、关闭产能、注销几乎全部商誉和廉价销售以清理库存，从电视一直到模拟芯片。不幸的是，所有这些努力仍然不够，2009年第一季度的企业财测显示，供应链营业收入将进一步下滑19%左右，库存天数将与第四季度持平。
iSuppli公司的库存追踪服务现在监测PC与手机以及半导体制造商、电子制造服务(EMS)提供商、分销商，提供关于电子供应链现状与未来形势的详细分析。
这些设备终端市场的发展动态包括：
• PC OEM厂商2008年第四季度营业收入比第三季度减少11%，总体制造商库存额比第三季度减少8%。结果库存天数(DOI)仍然保持在20天。
• 手机制造商2008年第四季度营业收入比第三季度下降10%，总体OEM库存额减少17%，库存天数微降至29天。
iSuppli公司认为，未来一年损失市场份额的厂商将发现难以恢复以前的地位。库存是衡量企业经营状况的一个关键指标，优化该指标可以在定价、产能利用率、销售和利润等方面获得优势。
系好安全带：需求低迷且库存膨胀，通向生存与繁荣的道路上将充斥被市场所抛弃的陈旧商业模式的残骸。
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日前，德州仪器(TI)宣布面向IP摄像机与数码视频录像机(DVR)推出两款综合而全面的低成本参考设计，从而可充分满足安全系统设计人员以较少资源创建高级监控产品的需求。这些参考设计由基于达芬奇(DaVinci)技术的新型TMS320DM365数字媒体处理器提供核心动力，能够提供具有三重视频流支持的高清H.264高级、主类或基本类规范（D1、分辨率 720p 时帧频为30 fps，或更低帧频时的 1080p）。这些参考设计还得益于支持视频稳定、面部检测以及其它视频质量增强技术的TI第五代影像信号处理 (ISP) 解决方案。此外，DVR 参考设计还包含全新的 TVP5158 视频解码器，能够捕获具有最新高级特性的多通道视频输入，如可实现更高视频质量的自动对比度与视频噪声过滤等特性。
该参考设计可实现极低的电子产品物料成本，其中IP摄像机不足40美元而DVR不足60美元，而且同时还包含从电源管理到接口器件的全面配套型模拟IC，从而使客户能够快速地创建诸如IP摄像机、闭路电视摄像机中的IP模块、数字视频服务器(DVS)、DVS以及网络视频记录器(DVR)等成本敏感型产品，可使开发工作量从160个月工时（16个工程师工作10个月）锐减到4个月工时。
IP摄像机参考设计的主要特性与优势：
·基于DM365数字媒体处理器，支持具备三重视频流功能的HD H.264 高级、主类或基本类规范（D1、分辨率 720p 时帧频为 30 fps，或更低帧频时的 1080p）；
·集成的300 MHz ARM926EJ-S内核可将视频编码/解码任务交由集成高清视频加速器执行，从而实现最优的系统性能；
·全面的多编解码器支持（H.264、MPEG-4、MPEG-2、MJPEG 以及 VC1 等编解码器）使设计人员不仅可实现高度的设计灵活性，还可确保与传统编解码器相互兼容，从而降低设计难度、加速产品上市进程；
·TI第五代片上ISP解决方案使客户无需内部创建定制算法或购买成本昂贵的光学器件即可实现高质量的影像。其拥有视频稳定、面部检测、噪声过滤、自动白平衡、自动对焦、自动曝光以及边缘增强等众多优异特性，不仅可实现影像增强，而且还能显著提升视频处理的智能化水平；
·集成型硬件连接器能够与基于TMS320DM643x数字媒体处理器的ObjectVideo视频分析子卡实现无缝连接；
·基于免专利费Linux的IP摄像机应用，包含可供用户实现专用定制与细分的源代码；
·与Appro Photoelectron Inc合作开发，并通过该公司供货。
DVR参考设计的主要特性与优势
·除DM365处理器之外，DVR 参考设计还包含TI 最新的具备高灵活性视频输出的多通道视频解码器TVP5158，不仅能够消除采用外部多路复用 FPGA 解决方案的麻烦，而且还可显著降低系统成本；
·DM365处理器可同时执行录制、回放、实时取景 (live view)、存储、视频流生成以及播放，使用户无需增添额外的主机处理器，从而显著节省了成本和开发时间；
·具有2个D1或8个CIF通道的多通道支持；
·包含基于Windows PC的视频管理软件；
·基于免专利费Linux的DVR应用包含可供用户实现专用定制与细分的源代码；
·同UD Works合作开发，并通过该公司供货。
价格、供货情况与技术支持
两款参考设计目前均已开始接受订单，其中IP摄像机参考设计现可通过Appro Photoelectron Inc. 进行订购；DVR 参考设计可通过UD Works进行订购。
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全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品，这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。 Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512Kb FM24V05和1Mb FM24V10，是2.0 V至 3.6V的串口非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，使用双线(I2C)协议。这两款器件的特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎无限的读/写次数及低功耗，是工业控制、仪表、医疗、军事、游戏、计算机及其它应用领域的512Kb和 1Mb串口闪存和串口EEPROM存储器的普适型(drop-in)替代产品。
Ramtron市场拓展经理Mike Peters解释道：“我们的V系列产品线现在可提供512Kb和1Mb器件选择，带有I2C接口，在更低、更宽的电压范围工作，实现更高的功效。 FM24V05和FM24V10提供更低功耗、高出几个数量级的耐用性，以及更好的读/写性能，是显着超越EEPROM的升级产品。”
FM24V05 适用于需要频繁或快速数据写入的非易失性存储器应用，如非常关注写入次数的数据采集应用，严苛的工业控制应用等，皆可获益于FM24V05器件，EEPROM则因为写入时间长而存在数据丢失风险。所有的串口F-RAM V系列产品均可配备可选器件特性，包括独特的串行计数和可定制系统重置。
Ramtron之V系列F-RAM的其它器件包括最近推出的FM25V05(512Kb)和FM25V10 (1Mb) 串口SPI产品，以及FM28V100 (1Mb) 并口非易失性RAM。
关于FM24V05和FM24V10
FM24V05 和FM24V10是分别配置64K×8位和128K× 8位存储器阵列的串口铁电随机存取存储器，使用行业标准双级(I2C)通信接口进行存取。不同于EEPROM，F-RAM串行存储器以全速总线速度执行串行协议的读/写操作，而无需数据轮询准备。此外，这两款器件支持3.4 MHz总线速度，相比先前的I2C串行F-RAM器件，时钟速度提高三倍，FM24V05和FM24V10提供超过10年的可靠数据保存，并同时免除了源自EEPROM和其它非易失性存储器的复杂性、系统开销和系统可靠性问题。
FM24V05和FM24V10具有一个只读器件ID，可以通过独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号让主机拥有一个独一无二的ID，以区别于世界上任何其它主机。另外，系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。
FM24V05和FM24V10可在-40℃至+85℃的工业温度范围工作，在2.0V-3.6V低电压下实现低功耗运作，工作模式耗电低于150μA (通常在100KHz下)，待机模式下则为90μA，而睡眠模式耗电更低至5μA。
价格和供货
Ramtron现提供采用“绿色”符合RoHS标准的8脚SOIC封装的FM24V05和FM24V10样品，订购1万片，FM24V05的起价为每片4.18美元；FM24V10单价为5.05美元。
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AMD-海信联合设计中心在海信集团研发中心日前正式成立并挂牌。依托该设计中心，AMD与海信集团将对数字家庭产品的软件硬件平台进行优化并广泛应用于高端产品，同时要开发基于AMD嵌入式平台的商用收款机等产品。
据悉，双方将通过联合设计中心的成功运作，推动在嵌入式市场的技术合作，实现双赢。共同看好以嵌入式产品为平台的相关产品发展前景，是此次合作的基础。 AMD、海信都是致力于科技创新的企业，并保持着对行业先进技术的敏感和关注。联合设计中心在双方既有先进技术的支持下研发嵌入式平台，并可广泛应用于电视、手机、收款机、数字家庭等终端产品。同时，双方在此领域还可以实现优势互补：AMD拥有基于X86架构的低功耗嵌入式计算机技术优势；海信有终端产品的优势，特别是以嵌入式为平台的多媒体终端产品，如数字家庭多媒体中心、商用收款机、智能手机等。此次合作将进一步推动合作双方依托自身产业优势，形成协同效应，从而在嵌入式市场实现共赢的目标。
对于这一合作，AMD全球副总裁，大中华区总经理王正福表示：“自进入中国市场以来，AMD公司一直秉承‘芯植中国，共赢未来’的发展战略，将企业自身的发展同客户的需求与国家的发展相‘融合’。作为全球领先的半导体领域创新企业，AMD愿用自己的先进产品和创新技术，与以海信为代表的更多山东企业一起合作，研发出适合于全球不同区域市场的产品技术，从而对山东省的信息化建设、集成电路相关产业的发展贡献AMD的一份力量。而此次联合设计中心的设立，正是这一承诺的有力体现和切实履行。”
海信集团副总裁高玉岭认为：“海信自2005年研发成功国内第一块音视频处理芯片-信芯（hiview）后，在集成电路领域拥有了一定的技术积累，目前Ⅱ代的系统级芯片正在试制阶段，进展比较顺利。海信凭借‘技术立企’战略，布局‘高端产业和产业高端’，已经在网络多媒体数字家庭终端、变频节能家电、IT智能系统等领域在全球市场上拥有了厚实的技术和品牌积累，相信此次合作不仅实现共赢，一个方面有助于更快地提升海信的创新研发能力，实现技术上更深度地突破，另一个方面也会让AMD的先进技术得到广泛应用。”
在当前金融危机影响还在扩散的形势下，必须依靠一批有实力、有基础的大企业协同攻关，集中各方优势资源强化技术创新并提高系统集成能力，才可在经济寒冬积蓄力量，抓住机会实现自身发展。通过成立AMD-海信联合设计中心来实现技术资源和成果共享，海信和AMD开创了高科技企业间技术合作的全新模式，值得其他大企业借鉴。
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